Справочник MOSFET. IGT60R190D1S

 

IGT60R190D1S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IGT60R190D1S
   Тип транзистора: GaN
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-8-3
 

 Аналог (замена) для IGT60R190D1S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IGT60R190D1S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  infineon
 igt60r190d1s.pdf pdf_icon

IGT60R190D1S

IGT60R190D1S IGT60R190D1S 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching G No reverse-recovery charge G SK Capable of reverse conduction Low gate charge, low output charge 1 1 Superior commutation ruggedness 1 1 Qualified for standard grade application

 8.1. Size:537K  infineon
 igt60r070d1.pdf pdf_icon

IGT60R190D1S

IGT60R070D1IGT60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching No reverse-recovery charge G SK Capable of reverse conduction Low gate charge, low output charge 1 Superior commutation ruggedness 1 Qualified for industrial applications according to JE

Другие MOSFET... IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 , IGOT60R070D1 , IGT60R070D1 , AO3407 , IPA60R180P7S , IPA60R360P7S , IPAN60R180P7S , IPAN65R650CE , IPB015N04N6 , IPB08CN10NG , IPB100N12S3-05 , IPB120N10S4-03 .

History: SMIRF20N65T1TL | 2SK3322 | AP90P03Q | 10N60L-TF3T-T | APM9938K | 12P10L-TN3-R | JCS13AN50FC

 

 
Back to Top

 


 
.