STD1NA60-1 Todos los transistores

 

STD1NA60-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD1NA60-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: IPAK

 Búsqueda de reemplazo de STD1NA60-1 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STD1NA60-1 datasheet

 ..1. Size:171K  1
std1na60 std1na60-1 std1na60t4.pdf pdf_icon

STD1NA60-1

STD1NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD1NA60 600 V

 6.1. Size:171K  st
std1na60.pdf pdf_icon

STD1NA60-1

STD1NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD1NA60 600 V

 9.1. Size:280K  st
std1nc60.pdf pdf_icon

STD1NA60-1

STD1NC60 N-CHANNEL 600V - 7 - 1.4A - DPAK/IPAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD1NC60 600 V

 9.2. Size:56K  st
std1nb80-1.pdf pdf_icon

STD1NA60-1

STD1NB80-1 N - CHANNEL 800V - 16 - 1A - IPAK PowerMESH MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STD1NB80-1 800 V

Otros transistores... STD17N05LT4 , STD17N05T4 , STD17N06 , STD17N06-1 , STD17N06L , STD17N06L-1 , STD17N06LT4 , STD17N06T4 , K2611 , STD1NA60T4 , STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , STD2N50T4 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 .

History: STD17N05L

 

 

 


 
↑ Back to Top
.