STD1NA60-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD1NA60-1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Encapsulados: IPAK
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STD1NA60-1 datasheet
std1na60 std1na60-1 std1na60t4.pdf
STD1NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD1NA60 600 V
std1na60.pdf
STD1NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD1NA60 600 V
std1nc60.pdf
STD1NC60 N-CHANNEL 600V - 7 - 1.4A - DPAK/IPAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD1NC60 600 V
std1nb80-1.pdf
STD1NB80-1 N - CHANNEL 800V - 16 - 1A - IPAK PowerMESH MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STD1NB80-1 800 V
Otros transistores... STD17N05LT4 , STD17N05T4 , STD17N06 , STD17N06-1 , STD17N06L , STD17N06L-1 , STD17N06LT4 , STD17N06T4 , K2611 , STD1NA60T4 , STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , STD2N50T4 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 .
History: STD17N05L
History: STD17N05L
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Liste
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