STD1NA60-1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STD1NA60-1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для STD1NA60-1
STD1NA60-1 Datasheet (PDF)
std1na60 std1na60-1 std1na60t4.pdf
STD1NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD1NA60 600 V
std1na60.pdf
STD1NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD1NA60 600 V
std1nc60.pdf
STD1NC60N-CHANNEL 600V - 7 - 1.4A - DPAK/IPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD1NC60 600 V
std1nb80-1.pdf
STD1NB80-1N - CHANNEL 800V - 16 - 1A - IPAKPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTD1NB80-1 800 V
Другие MOSFET... STD17N05LT4 , STD17N05T4 , STD17N06 , STD17N06-1 , STD17N06L , STD17N06L-1 , STD17N06LT4 , STD17N06T4 , IRFZ48N , STD1NA60T4 , STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , STD2N50T4 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 .
History: 2SK3748
History: 2SK3748
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM308MBP | AGM308MAR | AGM308MA | AGM308AP | AGM308A | AGM302A1 | AGM301C1 | AGM301A1 | AGM3015H | AGM3015D | AGM3015A | AGM3012AP-CP | AGM3005A | AGM2N7002K3 | AGM2N7002 | AGM30P20AP
Popular searches
irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet










