STD1NA60-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD1NA60-1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 42 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 8 Ohm
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для STD1NA60-1
STD1NA60-1 Datasheet (PDF)
std1na60 std1na60-1 std1na60t4.pdf
STD1NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD1NA60 600 V
std1na60.pdf
STD1NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD1NA60 600 V
std1nc60.pdf
STD1NC60N-CHANNEL 600V - 7 - 1.4A - DPAK/IPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD1NC60 600 V
std1nb80-1.pdf
STD1NB80-1N - CHANNEL 800V - 16 - 1A - IPAKPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTD1NB80-1 800 V
std1nk80z-1 std1nk80zt4 stq1nk80zr-ap.pdf
STQ1NK80ZR-AP - STN1NK80ZSTD1NK80Z - STD1NK80Z-1N-CHANNEL 800V - 13 - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID Pw2STQ1NK80ZR-AP 800 V
stq1nk80zr-ap stn1nk80z std1nk80z std1nk80z-1.pdf
STQ1NK80ZR-AP - STN1NK80ZSTD1NK80Z - STD1NK80Z-1N-CHANNEL 800V - 13 - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID Pw2STQ1NK80ZR-AP 800 V
std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf
STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V
std1nk60-1 std1nk60t4 std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf
STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V
std1nk60t4.pdf
STD1NK60T4 N-channel 600 V, 7.3 typ., 1 A SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTD1NK60T4 600 V 8.5 1 A 30 W Extremely high dv/dt capability ESD improved capability 100% avalanche tested Gate charge minimized Figure 1: Internal schematic diagram Applications L
Другие MOSFET... STD17N05LT4 , STD17N05T4 , STD17N06 , STD17N06-1 , STD17N06L , STD17N06L-1 , STD17N06LT4 , STD17N06T4 , IRF9540N , STD1NA60T4 , STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , STD2N50T4 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 .
