STD1NA60-1 - описание и поиск аналогов

 

STD1NA60-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD1NA60-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для STD1NA60-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD1NA60-1 даташит

 ..1. Size:171K  1
std1na60 std1na60-1 std1na60t4.pdfpdf_icon

STD1NA60-1

STD1NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD1NA60 600 V

 6.1. Size:171K  st
std1na60.pdfpdf_icon

STD1NA60-1

STD1NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD1NA60 600 V

 9.1. Size:280K  st
std1nc60.pdfpdf_icon

STD1NA60-1

STD1NC60 N-CHANNEL 600V - 7 - 1.4A - DPAK/IPAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD1NC60 600 V

 9.2. Size:56K  st
std1nb80-1.pdfpdf_icon

STD1NA60-1

STD1NB80-1 N - CHANNEL 800V - 16 - 1A - IPAK PowerMESH MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STD1NB80-1 800 V

Другие MOSFET... STD17N05LT4 , STD17N05T4 , STD17N06 , STD17N06-1 , STD17N06L , STD17N06L-1 , STD17N06LT4 , STD17N06T4 , K2611 , STD1NA60T4 , STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , STD2N50T4 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 .

History: STD3N25-1

 

 

 


 
↑ Back to Top
.