IPB35N10S3L-26 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB35N10S3L-26
Código: 3N10L26
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 71 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 460 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0263 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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IPB35N10S3L-26 Datasheet (PDF)
ipb35n10s3l-26.pdf
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ipb35cn10n-g ipd33cn10n-g ipi35cn10n-g ipp35cn10n-g ipu33cn10n-g.pdf
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