IPB35N10S3L-26 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB35N10S3L-26

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0263 Ohm

Encapsulados: TO263

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IPB35N10S3L-26 datasheet

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IPB35N10S3L-26

IPB35N10S3L-26 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary V 100 V DS R 26.3 mW DS(on),max I 35 A D Features PG-TO263-3-2 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB35N10S3L-26 PG-TO263-3-2 3N10L26 M

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IPB35N10S3L-26

IPB35CN10N G IPD33CN10N G IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 34 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 27 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

Otros transistores... IPB180N08S4-02, IPB180N10S4-02, IPB180N10S4-03, IPB180P04P4-03, IPB180P04P4L-02, IPB240N03S4L-R8, IPB240N04S4-1R0, IPB240N04S4-R9, AO3400, IPB50N12S3L-15, IPB60R040CFD7, IPB60R045P7, IPB60R070CFD7, IPB60R090CFD7, IPB60R120C7, IPB60R125CFD7, IPB60R170CFD7