Справочник MOSFET. IPB35N10S3L-26

 

IPB35N10S3L-26 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB35N10S3L-26
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0263 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB35N10S3L-26 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  infineon
 ipb35n10s3l-26.pdf pdf_icon

IPB35N10S3L-26

IPB35N10S3L-26OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 26.3mWDS(on),maxI 35 ADFeaturesPG-TO263-3-2 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB35N10S3L-26 PG-TO263-3-2 3N10L26M

 9.1. Size:704K  infineon
 ipb35cn10n-g ipd33cn10n-g ipi35cn10n-g ipp35cn10n-g ipu33cn10n-g.pdf pdf_icon

IPB35N10S3L-26

IPB35CN10N G IPD33CN10N GIPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 34mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 27 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT

 

 
Back to Top

 


 
.