IPB35N10S3L-26 - описание и поиск аналогов

 

IPB35N10S3L-26. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB35N10S3L-26

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0263 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IPB35N10S3L-26

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB35N10S3L-26 даташит

 ..1. Size:171K  infineon
 ipb35n10s3l-26.pdf pdf_icon

IPB35N10S3L-26

IPB35N10S3L-26 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary V 100 V DS R 26.3 mW DS(on),max I 35 A D Features PG-TO263-3-2 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB35N10S3L-26 PG-TO263-3-2 3N10L26 M

 9.1. Size:704K  infineon
 ipb35cn10n-g ipd33cn10n-g ipi35cn10n-g ipp35cn10n-g ipu33cn10n-g.pdf pdf_icon

IPB35N10S3L-26

IPB35CN10N G IPD33CN10N G IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 34 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 27 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

Другие MOSFET... IPB180N08S4-02 , IPB180N10S4-02 , IPB180N10S4-03 , IPB180P04P4-03 , IPB180P04P4L-02 , IPB240N03S4L-R8 , IPB240N04S4-1R0 , IPB240N04S4-R9 , AO3400 , IPB50N12S3L-15 , IPB60R040CFD7 , IPB60R045P7 , IPB60R070CFD7 , IPB60R090CFD7 , IPB60R120C7 , IPB60R125CFD7 , IPB60R170CFD7 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.