IPC70N04S5-4R6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPC70N04S5-4R6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm

Encapsulados: TDSON-8-33

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IPC70N04S5-4R6 datasheet

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IPC70N04S5-4R6

IPC70N04S5-4R6 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 4.6 mW ID 70 A Features PG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch

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IPC70N04S5-4R6

IPC70N04S5L-4R2 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 4.2 mW ID 70 A Features PG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch

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