IPC70N04S5-4R6 - аналоги и даташиты транзистора

 

IPC70N04S5-4R6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPC70N04S5-4R6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8-33
 

 Аналог (замена) для IPC70N04S5-4R6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPC70N04S5-4R6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  infineon
 ipc70n04s5-4r6.pdf pdf_icon

IPC70N04S5-4R6

IPC70N04S5-4R6OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 4.6 mW ID 70 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch

 4.1. Size:564K  infineon
 ipc70n04s5l-4r2.pdf pdf_icon

IPC70N04S5-4R6

IPC70N04S5L-4R2OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 4.2 mW ID 70 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch

Другие MOSFET... IPC100N04S5-1R9 , IPC100N04S5-2R8 , IPC100N04S5L-1R1 , IPC100N04S5L-1R5 , IPC100N04S5L-1R9 , IPC100N04S5L-2R6 , IPC50N04S5-5R8 , IPC50N04S5L-5R5 , IRFB3607 , IPC70N04S5L-4R2 , IPC90N04S5-3R6 , IPC90N04S5L-3R3 , IPD090N03LGE8177 , IPD100N04S4L-02 , IPD25DP06LM , IPD25DP06NM , IPD30N12S3L-31 .

History: NCE60H10F | FCB070N65S3 | IPS70R360P7S | 2SJ257 | NTDV20P06L | XP151A12A2MR-G | PS75N75A

 

 
Back to Top

 


 
.