IPD100N04S4L-02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPD100N04S4L-02
Código: 4N04L02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 126 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1660 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0019 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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IPD100N04S4L-02 Datasheet (PDF)
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IPD100N04S4L-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.9mWID 100 AFeatures OptiMOSTM - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-313 N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTyp
ipd100n04s4-02.pdf
IPD100N04S4-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 2.0mDS(on),maxI 100 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD100N04S4-02 PG-TO252-3-313 4N0402Maximum ratin
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPD100N04S4-02FEATURESDrain Current I = 100A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R : 4m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAX
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
History: HSU6040
