IPD100N04S4L-02. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPD100N04S4L-02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1660 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD100N04S4L-02
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPD100N04S4L-02 даташит
ipd100n04s4l-02.pdf
IPD100N04S4L-02 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.9 mW ID 100 A Features OptiMOSTM - power MOSFET for automotive applications PG-TO252-3-313 N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Typ
ipd100n04s4-02.pdf
IPD100N04S4-02 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 2.0 m DS(on),max I 100 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD100N04S4-02 PG-TO252-3-313 4N0402 Maximum ratin
ipd100n04s4-02.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD100N04S4-02 FEATURES Drain Current I = 100A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R 4m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ultra Low On-resistance Fast Switching ABSOLUTE MAX
Другие IGBT... IPC100N04S5L-2R6, IPC50N04S5-5R8, IPC50N04S5L-5R5, IPC70N04S5-4R6, IPC70N04S5L-4R2, IPC90N04S5-3R6, IPC90N04S5L-3R3, IPD090N03LGE8177, IRF1010E, IPD25DP06LM, IPD25DP06NM, IPD30N12S3L-31, IPD35N12S3L-24, IPD380P06NM, IPD40DP06NM, IPD50N08S4-13, IPD50N12S3L-15
History: TMP120N10A | IPB04N03LA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733


