IPD100N04S4L-02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPD100N04S4L-02
Маркировка: 4N04L02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 126 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 1660 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0019 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD100N04S4L-02
IPD100N04S4L-02 Datasheet (PDF)
ipd100n04s4l-02.pdf
IPD100N04S4L-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.9mWID 100 AFeatures OptiMOSTM - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-313 N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTyp
ipd100n04s4-02.pdf
IPD100N04S4-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 2.0mDS(on),maxI 100 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD100N04S4-02 PG-TO252-3-313 4N0402Maximum ratin
ipd100n04s4-02.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD100N04S4-02FEATURESDrain Current I = 100A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R : 4m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAX
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
