IPD380P06NM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPD380P06NM
Código: 380P06NM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 63 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 360 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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IPD380P06NM Datasheet (PDF)
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IPD380P06NMMOSFETD-PAKOptiMOSTM Power Transistor, -60 VFeaturestab P-Channel Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Normal Level Enhancement mode1 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial ApplicationsDraintabTable 1 Ke
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