Справочник MOSFET. IPD380P06NM

 

IPD380P06NM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD380P06NM
   Маркировка: 380P06NM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 63 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD380P06NM

 

 

IPD380P06NM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  infineon
 ipd380p06nm.pdf

IPD380P06NM IPD380P06NM

IPD380P06NMMOSFETD-PAKOptiMOSTM Power Transistor, -60 VFeaturestab P-Channel Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Normal Level Enhancement mode1 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial ApplicationsDraintabTable 1 Ke

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top