IPD380P06NM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPD380P06NM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD380P06NM
IPD380P06NM Datasheet (PDF)
ipd380p06nm.pdf

IPD380P06NMMOSFETD-PAKOptiMOSTM Power Transistor, -60 VFeaturestab P-Channel Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Normal Level Enhancement mode1 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial ApplicationsDraintabTable 1 Ke
Другие MOSFET... IPC90N04S5-3R6 , IPC90N04S5L-3R3 , IPD090N03LGE8177 , IPD100N04S4L-02 , IPD25DP06LM , IPD25DP06NM , IPD30N12S3L-31 , IPD35N12S3L-24 , IRFP450 , IPD40DP06NM , IPD50N08S4-13 , IPD50N12S3L-15 , IPD50P04P4-13 , IPD60N10S4-12 , IPD60N10S4L-12 , IPD60R145CFD7 , IPD60R180P7 .
History: TPC8203 | SIR662DP | ELM33402CA | 2SJ389L | 2SK3354-Z | 2SK2960 | SSF5NS65UD
History: TPC8203 | SIR662DP | ELM33402CA | 2SJ389L | 2SK3354-Z | 2SK2960 | SSF5NS65UD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424