Справочник MOSFET. IPD380P06NM

 

IPD380P06NM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD380P06NM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD380P06NM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD380P06NM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  infineon
 ipd380p06nm.pdf pdf_icon

IPD380P06NM

IPD380P06NMMOSFETD-PAKOptiMOSTM Power Transistor, -60 VFeaturestab P-Channel Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Normal Level Enhancement mode1 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial ApplicationsDraintabTable 1 Ke

Другие MOSFET... IPC90N04S5-3R6 , IPC90N04S5L-3R3 , IPD090N03LGE8177 , IPD100N04S4L-02 , IPD25DP06LM , IPD25DP06NM , IPD30N12S3L-31 , IPD35N12S3L-24 , IRFP450 , IPD40DP06NM , IPD50N08S4-13 , IPD50N12S3L-15 , IPD50P04P4-13 , IPD60N10S4-12 , IPD60N10S4L-12 , IPD60R145CFD7 , IPD60R180P7 .

History: SWMN12N65D | HM75N80 | UTT6NP10G-S08-R | CS6N65D | IRFU3505 | RTR025N03 | 2SK1199

 

 
Back to Top

 


 
.