IPD50N08S4-13 Todos los transistores

 

IPD50N08S4-13 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD50N08S4-13
   Código: 4N0813
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 511 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0132 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IPD50N08S4-13 Datasheet (PDF)

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IPD50N08S4-13

IPD50N08S4-13OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VRDS(on),max 13.2mWID 50 AFeaturesPG-TO252-3-313 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N08S4-13 PG-TO252-3-313 4N0813Maximum ratings,

 7.1. Size:154K  1
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IPD50N08S4-13

IPD50N06S2L-13OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 12.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Mark

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ipd50n06s4l-08 ipd50n06s4l-08 ds 10.pdf pdf_icon

IPD50N08S4-13

IPD50N06S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 7.8mDS(on),maxI 50 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N06S4L-08 PG-TO252-3-11 4N06L08Maximum ra

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IPD50N08S4-13

IPD50N03S2-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel - Enhancement modeR 7.3mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N03S2-07 PG-TO252-

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History: SPB16N50C3 | QM2417C1

 

 
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