Справочник MOSFET. IPD50N08S4-13

 

IPD50N08S4-13 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD50N08S4-13
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 511 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0132 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD50N08S4-13

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50N08S4-13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  infineon
 ipd50n08s4-13.pdf pdf_icon

IPD50N08S4-13

IPD50N08S4-13OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VRDS(on),max 13.2mWID 50 AFeaturesPG-TO252-3-313 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N08S4-13 PG-TO252-3-313 4N0813Maximum ratings,

 7.1. Size:154K  1
 ipd50n06s2l-13.pdf pdf_icon

IPD50N08S4-13

IPD50N06S2L-13OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 12.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Mark

 7.2. Size:162K  infineon
 ipd50n06s4l-08 ipd50n06s4l-08 ds 10.pdf pdf_icon

IPD50N08S4-13

IPD50N06S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 7.8mDS(on),maxI 50 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N06S4L-08 PG-TO252-3-11 4N06L08Maximum ra

 7.3. Size:150K  infineon
 ipd50n03s2-07.pdf pdf_icon

IPD50N08S4-13

IPD50N03S2-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel - Enhancement modeR 7.3mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N03S2-07 PG-TO252-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD090N03LGE8177 , IPD100N04S4L-02 , IPD25DP06LM , IPD25DP06NM , IPD30N12S3L-31 , IPD35N12S3L-24 , IPD380P06NM , IPD40DP06NM , 20N50 , IPD50N12S3L-15 , IPD50P04P4-13 , IPD60N10S4-12 , IPD60N10S4L-12 , IPD60R145CFD7 , IPD60R180P7 , IPD60R1K0PFD7S , IPD60R1K5PFD7S .

History: 2SK1733 | NVTR4502P | SVG104R5NS6TR | 6N80G-TF3-T | VS6018BS | CS6661

 

 
Back to Top

 


 
.