IPD85P04P4-07 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPD85P04P4-07
Código: 4P0407
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 88 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 40 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 69 nC
Tiempo de elevación (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1520 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0073 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
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IPD85P04P4-07 Datasheet (PDF)
0.1. ipd85p04p4-07.pdf 
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IPD85P04P4-07OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -40 VDSR 7.3mWDS(on)I -85 ADFeatures P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD85P04P4-07 PG-TO252-3-313 4P0407Maxim
4.1. ipd85p04p4l-06.pdf Size:279K _infineon
IPD85P04P4L-06OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryVDS -40 VRDS(on) 6.4mWID -85 AFeatures P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflowTab 175C operating temperature Green package (RoHS compliant)13 100% Avalanche testedSourcepin 3Gatepin 1Type Package Marking Drainpin
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
