IPD85P04P4-07 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPD85P04P4-07
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm
Encapsulados: TO252
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IPD85P04P4-07 datasheet
ipd85p04p4-07.pdf
IPD85P04P4-07 OptiMOS -P2 Power-Transistor Product Summary V -40 V DS R 7.3 mW DS(on) I -85 A D Features P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualified PG-TO252-3-313 MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD85P04P4-07 PG-TO252-3-313 4P0407 Maxim
ipd85p04p4l-06.pdf
IPD85P04P4L-06 OptiMOS -P2 Power-Transistor Product Summary VDS -40 V RDS(on) 6.4 mW ID -85 A Features P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualified PG-TO252-3-313 MSL1 up to 260 C peak reflow Tab 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 1 3 100% Avalanche tested Source pin 3 Gate pin 1 Type Package Marking Drain pin
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