Справочник MOSFET. IPD85P04P4-07

 

IPD85P04P4-07 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPD85P04P4-07

Маркировка: 4P0407

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 85 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 69 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 1520 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0073 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD85P04P4-07

 

 

IPD85P04P4-07 Datasheet (PDF)

0.1. ipd85p04p4-07.pdf Size:149K _infineon

IPD85P04P4-07
IPD85P04P4-07

IPD85P04P4-07OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -40 VDSR 7.3mWDS(on)I -85 ADFeatures P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD85P04P4-07 PG-TO252-3-313 4P0407Maxim

4.1. ipd85p04p4l-06.pdf Size:279K _infineon

IPD85P04P4-07
IPD85P04P4-07

IPD85P04P4L-06OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryVDS -40 VRDS(on) 6.4mWID -85 AFeatures P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflowTab 175C operating temperature Green package (RoHS compliant)13 100% Avalanche testedSourcepin 3Gatepin 1Type Package Marking Drainpin

 

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top