IPD85P04P4-07 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPD85P04P4-07
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD85P04P4-07
IPD85P04P4-07 Datasheet (PDF)
ipd85p04p4-07.pdf

IPD85P04P4-07OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -40 VDSR 7.3mWDS(on)I -85 ADFeatures P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD85P04P4-07 PG-TO252-3-313 4P0407Maxim
ipd85p04p4l-06.pdf

IPD85P04P4L-06OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryVDS -40 VRDS(on) 6.4mWID -85 AFeatures P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflowTab 175C operating temperature Green package (RoHS compliant)13 100% Avalanche testedSourcepin 3Gatepin 1Type Package Marking Drainpin
Другие MOSFET... IPD80R2K7C3A , IPD80R360P7 , IPD80R3K3P7 , IPD80R450P7 , IPD80R4K5P7 , IPD80R600P7 , IPD80R750P7 , IPD80R900P7 , 8N60 , IPD85P04P4L-06 , IPD900P06NM , IPD90N08S4-05 , IPD90N10S4-06 , IPD90N10S4L-06 , IPD90P04P4L-04 , IPD95R1K2P7 , IPD95R450P7 .
History: NCE70T360D | HFA24N50G
History: NCE70T360D | HFA24N50G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTLA3134K | JMTLA2N7002KS | JMTL850P04A | JMTL400N04A | JMTL3N10A | JMTL3416KS | JMTL3415KL | JMTL3407A | JMTL3406A | JMTL3404B | JMTL3404A | JMTL3402A | JMTL3401B | JMTL3400L | JMTL3400A | JMTC80N06A
Popular searches
irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g