IPD85P04P4L-06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD85P04P4L-06  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0064 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IPD85P04P4L-06 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IPD85P04P4L-06 datasheet

 ..1. Size:279K  infineon
 ipd85p04p4l-06.pdf pdf_icon

IPD85P04P4L-06

IPD85P04P4L-06 OptiMOS -P2 Power-Transistor Product Summary VDS -40 V RDS(on) 6.4 mW ID -85 A Features P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualified PG-TO252-3-313 MSL1 up to 260 C peak reflow Tab 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 1 3 100% Avalanche tested Source pin 3 Gate pin 1 Type Package Marking Drain pin

 4.1. Size:149K  infineon
 ipd85p04p4-07.pdf pdf_icon

IPD85P04P4L-06

IPD85P04P4-07 OptiMOS -P2 Power-Transistor Product Summary V -40 V DS R 7.3 mW DS(on) I -85 A D Features P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualified PG-TO252-3-313 MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD85P04P4-07 PG-TO252-3-313 4P0407 Maxim

Otros transistores... IPD80R360P7, IPD80R3K3P7, IPD80R450P7, IPD80R4K5P7, IPD80R600P7, IPD80R750P7, IPD80R900P7, IPD85P04P4-07, AON7403, IPD900P06NM, IPD90N08S4-05, IPD90N10S4-06, IPD90N10S4L-06, IPD90P04P4L-04, IPD95R1K2P7, IPD95R450P7, IPD95R750P7