IPD85P04P4L-06 Todos los transistores

 

IPD85P04P4L-06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD85P04P4L-06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0064 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IPD85P04P4L-06 Datasheet (PDF)

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IPD85P04P4L-06

IPD85P04P4L-06OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryVDS -40 VRDS(on) 6.4mWID -85 AFeatures P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflowTab 175C operating temperature Green package (RoHS compliant)13 100% Avalanche testedSourcepin 3Gatepin 1Type Package Marking Drainpin

 4.1. Size:149K  infineon
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IPD85P04P4L-06

IPD85P04P4-07OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -40 VDSR 7.3mWDS(on)I -85 ADFeatures P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD85P04P4-07 PG-TO252-3-313 4P0407Maxim

Otros transistores... IPD80R360P7 , IPD80R3K3P7 , IPD80R450P7 , IPD80R4K5P7 , IPD80R600P7 , IPD80R750P7 , IPD80R900P7 , IPD85P04P4-07 , EMB04N03H , IPD900P06NM , IPD90N08S4-05 , IPD90N10S4-06 , IPD90N10S4L-06 , IPD90P04P4L-04 , IPD95R1K2P7 , IPD95R450P7 , IPD95R750P7 .

History: FQD12N20 | BF353

 

 
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