IPD85P04P4L-06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPD85P04P4L-06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IPD85P04P4L-06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD85P04P4L-06 даташит

 ..1. Size:279K  infineon
 ipd85p04p4l-06.pdf pdf_icon

IPD85P04P4L-06

IPD85P04P4L-06 OptiMOS -P2 Power-Transistor Product Summary VDS -40 V RDS(on) 6.4 mW ID -85 A Features P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualified PG-TO252-3-313 MSL1 up to 260 C peak reflow Tab 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 1 3 100% Avalanche tested Source pin 3 Gate pin 1 Type Package Marking Drain pin

 4.1. Size:149K  infineon
 ipd85p04p4-07.pdf pdf_icon

IPD85P04P4L-06

IPD85P04P4-07 OptiMOS -P2 Power-Transistor Product Summary V -40 V DS R 7.3 mW DS(on) I -85 A D Features P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualified PG-TO252-3-313 MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD85P04P4-07 PG-TO252-3-313 4P0407 Maxim

Другие IGBT... IPD80R360P7, IPD80R3K3P7, IPD80R450P7, IPD80R4K5P7, IPD80R600P7, IPD80R750P7, IPD80R900P7, IPD85P04P4-07, AON7403, IPD900P06NM, IPD90N08S4-05, IPD90N10S4-06, IPD90N10S4L-06, IPD90P04P4L-04, IPD95R1K2P7, IPD95R450P7, IPD95R750P7