Справочник MOSFET. IPD85P04P4L-06

 

IPD85P04P4L-06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD85P04P4L-06
   Маркировка: 4P04L06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD85P04P4L-06

 

 

IPD85P04P4L-06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  infineon
 ipd85p04p4l-06.pdf

IPD85P04P4L-06 IPD85P04P4L-06

IPD85P04P4L-06OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryVDS -40 VRDS(on) 6.4mWID -85 AFeatures P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflowTab 175C operating temperature Green package (RoHS compliant)13 100% Avalanche testedSourcepin 3Gatepin 1Type Package Marking Drainpin

 4.1. Size:149K  infineon
 ipd85p04p4-07.pdf

IPD85P04P4L-06 IPD85P04P4L-06

IPD85P04P4-07OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -40 VDSR 7.3mWDS(on)I -85 ADFeatures P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD85P04P4-07 PG-TO252-3-313 4P0407Maxim

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top