IPG16N10S4-61A Todos los transistores

 

IPG16N10S4-61A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPG16N10S4-61A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8-10
 

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IPG16N10S4-61A Datasheet (PDF)

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IPG16N10S4-61A

IPG16N10S4-61AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max3) 61mID 16 AFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Typ

 4.1. Size:269K  infineon
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IPG16N10S4-61A

IPG16N10S4L-61AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max3) 61mWID 16 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Type

Otros transistores... IPD95R450P7 , IPD95R750P7 , IPDD60R050G7 , IPDD60R080G7 , IPDD60R125G7 , IPDD60R150G7 , IPF060N03LG , IPF075N03LG , 20N60 , IPG16N10S4L-61A , IPG20N04S4-18A , IPG20N04S4L-07A , IPG20N04S4L-18A , IPG20N06S2L-50A , IPG20N06S2L-65A , IPG20N06S4L-11A , IPG20N06S4L-26A .

History: IRF7471TR | MEE4294K | NCEP014NH60GU

 

 
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