Справочник MOSFET. IPG16N10S4-61A

 

IPG16N10S4-61A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPG16N10S4-61A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8-10
 

 Аналог (замена) для IPG16N10S4-61A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPG16N10S4-61A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  infineon
 ipg16n10s4-61a.pdf pdf_icon

IPG16N10S4-61A

IPG16N10S4-61AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max3) 61mID 16 AFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Typ

 4.1. Size:269K  infineon
 ipg16n10s4l-61a.pdf pdf_icon

IPG16N10S4-61A

IPG16N10S4L-61AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max3) 61mWID 16 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Type

Другие MOSFET... IPD95R450P7 , IPD95R750P7 , IPDD60R050G7 , IPDD60R080G7 , IPDD60R125G7 , IPDD60R150G7 , IPF060N03LG , IPF075N03LG , 20N60 , IPG16N10S4L-61A , IPG20N04S4-18A , IPG20N04S4L-07A , IPG20N04S4L-18A , IPG20N06S2L-50A , IPG20N06S2L-65A , IPG20N06S4L-11A , IPG20N06S4L-26A .

History: NCE20P09S

 

 
Back to Top

 


 
.