IPG16N10S4-61A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPG16N10S4-61A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm

Тип корпуса: TDSON-8-10

Аналог (замена) для IPG16N10S4-61A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPG16N10S4-61A даташит

 ..1. Size:195K  infineon
 ipg16n10s4-61a.pdf pdf_icon

IPG16N10S4-61A

IPG16N10S4-61A OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on),max3) 61 m ID 16 A Features Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI) Typ

 4.1. Size:269K  infineon
 ipg16n10s4l-61a.pdf pdf_icon

IPG16N10S4-61A

IPG16N10S4L-61A OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on),max3) 61 mW ID 16 A Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI) Type

Другие IGBT... IPD95R450P7, IPD95R750P7, IPDD60R050G7, IPDD60R080G7, IPDD60R125G7, IPDD60R150G7, IPF060N03LG, IPF075N03LG, 20N60, IPG16N10S4L-61A, IPG20N04S4-18A, IPG20N04S4L-07A, IPG20N04S4L-18A, IPG20N06S2L-50A, IPG20N06S2L-65A, IPG20N06S4L-11A, IPG20N06S4L-26A