IPG20N04S4-18A Todos los transistores

 

IPG20N04S4-18A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPG20N04S4-18A
   Código: 4N0418
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 0.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 176 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0184 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8-10

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPG20N04S4-18A

 

IPG20N04S4-18A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:516K  infineon
ipg20n04s4-18a.pdf

IPG20N04S4-18A
IPG20N04S4-18A

IPG20N04S4-18AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS40 VRDS(on),max4)18mWID 2)20 AFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant)1 100% Avalanche tested8 7 6 5 Feasible for automatic optical inspe

 2.1. Size:159K  infineon
ipg20n04s4-12 ipg20n04s4-12 ds 1 0.pdf

IPG20N04S4-18A
IPG20N04S4-18A

IPG20N04S4-12OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)12.2mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-12 PG-TDSON-8-4

 3.1. Size:157K  infineon
ipg20n04s4-08 ipg20n04s4-08 ds 1 0.pdf

IPG20N04S4-18A
IPG20N04S4-18A

IPG20N04S4-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)7.6mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-08 PG-TDSON-8-4 4

 3.2. Size:141K  infineon
ipg20n04s4-09 ipg20n04s4-09 ds 1 0.pdf

IPG20N04S4-18A
IPG20N04S4-18A

IPG20N04S4-09OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)8.6mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-09 PG-TDSON-8-4 4

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


IPG20N04S4-18A
  IPG20N04S4-18A
  IPG20N04S4-18A
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top