Справочник MOSFET. IPG20N04S4-18A

 

IPG20N04S4-18A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPG20N04S4-18A
   Маркировка: 4N0418
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 0.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 176 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0184 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8-10
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPG20N04S4-18A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:516K  infineon
 ipg20n04s4-18a.pdf pdf_icon

IPG20N04S4-18A

IPG20N04S4-18AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS40 VRDS(on),max4)18mWID 2)20 AFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant)1 100% Avalanche tested8 7 6 5 Feasible for automatic optical inspe

 2.1. Size:159K  infineon
 ipg20n04s4-12 ipg20n04s4-12 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPG20N04S4-18A

IPG20N04S4-12OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)12.2mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-12 PG-TDSON-8-4

 3.1. Size:157K  infineon
 ipg20n04s4-08 ipg20n04s4-08 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPG20N04S4-18A

IPG20N04S4-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)7.6mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-08 PG-TDSON-8-4 4

 3.2. Size:141K  infineon
 ipg20n04s4-09 ipg20n04s4-09 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPG20N04S4-18A

IPG20N04S4-09OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)8.6mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-09 PG-TDSON-8-4 4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TK3A60DA | APL602J | BSS214NW

 

 
Back to Top

 


 
.