IPI16CN10NG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI16CN10NG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 364 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0162 Ohm

Encapsulados: TO262

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IPI16CN10NG datasheet

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IPI16CN10NG

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 4.1. Size:661K  infineon
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IPI16CN10NG

www.DataSheet4U.com IPB16CN10N G IPD16CN10N G IPI16CN10N G IPP16CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 16 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 53 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified

 4.2. Size:286K  inchange semiconductor
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IPI16CN10NG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI16CN10N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 16m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

Otros transistores... IPI08CN10NG, IPI100N12S3-05, IPI120N08S4-03, IPI120N08S4-04, IPI120N10S4-03, IPI120N10S4-05, IPI120P04P4-04, IPI120P04P4L-03, 7N65, IPI50N12S3L-15, IPI70N12S3-11, IPI80N08S4-06, IPI80P03P4-05, IPI80P04P4-07, IPI80P04P4L-04, IPI80P04P4L-08, IPL60R060CFD7