IPI16CN10NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPI16CN10NG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 364 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0162 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IPI16CN10NG
IPI16CN10NG Datasheet (PDF)
ipb16cn10ng ipd16cn10ng ipi16cn10ng ipp16cn10ng.pdf

$ " " $ " " $ " " $$ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=D 1 Features D 1 m S ) 5:3@@7> @AD?3> >7H7> . A@ ?3J /* S !J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F "* ( DD n)S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n)S V AB7D3F;@9 F7?B7D3FGD7S +4 8D77 >736 B>3F;@9 - A$. 5A?B>;3@F1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA &! ! 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@S %673> 8AD :;9: 8D7CG7@5K EI;F5:;@9 3@6 EK@5:DA@AGE D7
ipb16cn10n ipd16cn10n ipi16cn10n ipp16cn10n.pdf

www.DataSheet4U.comIPB16CN10N G IPD16CN10N GIPI16CN10N G IPP16CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 16mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 53 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified
ipi16cn10n.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI16CN10NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 16mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM
Другие MOSFET... IPI08CN10NG , IPI100N12S3-05 , IPI120N08S4-03 , IPI120N08S4-04 , IPI120N10S4-03 , IPI120N10S4-05 , IPI120P04P4-04 , IPI120P04P4L-03 , STP75NF75 , IPI50N12S3L-15 , IPI70N12S3-11 , IPI80N08S4-06 , IPI80P03P4-05 , IPI80P04P4-07 , IPI80P04P4L-04 , IPI80P04P4L-08 , IPL60R060CFD7 .
History: IRFR48Z | WMK80R260S | NCE6003Y | FQA18N50V2 | IRFS3307ZPBF | SSF2816EBK | SRT04N016L
History: IRFR48Z | WMK80R260S | NCE6003Y | FQA18N50V2 | IRFS3307ZPBF | SSF2816EBK | SRT04N016L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor