IPLU250N04S4-1R7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPLU250N04S4-1R7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1380 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
Paquete / Cubierta: H-PSOF-8-1
Búsqueda de reemplazo de IPLU250N04S4-1R7 MOSFET
IPLU250N04S4-1R7 Datasheet (PDF)
iplu250n04s4-1r7.pdf

IPLU250N04S4-1R7OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.7mWID 250 AFeaturesH-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified8 MSL1 up to 260C peak reflow1Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant); 100% lead free18 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPL
Otros transistores... IPL60R075CFD7 , IPL60R085P7 , IPL60R095CFD7 , IPL60R125P7 , IPL60R160CFD7 , IPL60R185C7 , IPL60R185P7 , IPL60R225CFD7 , TK10A60D , IPLU300N04S4-1R1 , IPLU300N04S4-R8 , IPN50R1K4CE , IPN50R3K0CE , IPN50R650CE , IPN50R800CE , IPN60R1K0PFD7S , IPN60R1K5CE .
History: IRLB3036G | TP0610T | SSF2418EBK | IRC640PBF | 9N100 | NTMS4807NR2G | MSU2N60D
History: IRLB3036G | TP0610T | SSF2418EBK | IRC640PBF | 9N100 | NTMS4807NR2G | MSU2N60D



Liste
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