IPLU250N04S4-1R7 Todos los transistores

 

IPLU250N04S4-1R7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPLU250N04S4-1R7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: H-PSOF-8-1
 

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IPLU250N04S4-1R7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:285K  infineon
 iplu250n04s4-1r7.pdf pdf_icon

IPLU250N04S4-1R7

IPLU250N04S4-1R7OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.7mWID 250 AFeaturesH-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified8 MSL1 up to 260C peak reflow1Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant); 100% lead free18 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPL

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History: IRLB3036G | TP0610T | SSF2418EBK | IRC640PBF | 9N100 | NTMS4807NR2G | MSU2N60D

 

 
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