IPLU250N04S4-1R7 Todos los transistores

 

IPLU250N04S4-1R7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPLU250N04S4-1R7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: H-PSOF-8-1
 

 Búsqueda de reemplazo de IPLU250N04S4-1R7 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPLU250N04S4-1R7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:285K  infineon
 iplu250n04s4-1r7.pdf pdf_icon

IPLU250N04S4-1R7

IPLU250N04S4-1R7OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.7mWID 250 AFeaturesH-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified8 MSL1 up to 260C peak reflow1Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant); 100% lead free18 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPL

Otros transistores... IPL60R075CFD7 , IPL60R085P7 , IPL60R095CFD7 , IPL60R125P7 , IPL60R160CFD7 , IPL60R185C7 , IPL60R185P7 , IPL60R225CFD7 , TK10A60D , IPLU300N04S4-1R1 , IPLU300N04S4-R8 , IPN50R1K4CE , IPN50R3K0CE , IPN50R650CE , IPN50R800CE , IPN60R1K0PFD7S , IPN60R1K5CE .

History: WSD1216DN22 | IPN80R1K2P7 | SWD70N10V | IPP034N08N5 | RD3L080SN | WPM3005 | SFG150N10KF

 

 
Back to Top

 


 
.