IPLU250N04S4-1R7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPLU250N04S4-1R7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1380 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
Тип корпуса: H-PSOF-8-1
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IPLU250N04S4-1R7 Datasheet (PDF)
iplu250n04s4-1r7.pdf

IPLU250N04S4-1R7OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.7mWID 250 AFeaturesH-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified8 MSL1 up to 260C peak reflow1Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant); 100% lead free18 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPL
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: AUIRFSL8408 | SVF12N60CFJ | SM8007NSU | BL10N60-P | BL5N50-U | BUK9M28-80E | BR50P06
History: AUIRFSL8408 | SVF12N60CFJ | SM8007NSU | BL10N60-P | BL5N50-U | BUK9M28-80E | BR50P06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet