Справочник MOSFET. IPLU250N04S4-1R7

 

IPLU250N04S4-1R7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPLU250N04S4-1R7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: H-PSOF-8-1
 

 Аналог (замена) для IPLU250N04S4-1R7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPLU250N04S4-1R7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:285K  infineon
 iplu250n04s4-1r7.pdf pdf_icon

IPLU250N04S4-1R7

IPLU250N04S4-1R7OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.7mWID 250 AFeaturesH-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified8 MSL1 up to 260C peak reflow1Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant); 100% lead free18 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPL

Другие MOSFET... IPL60R075CFD7 , IPL60R085P7 , IPL60R095CFD7 , IPL60R125P7 , IPL60R160CFD7 , IPL60R185C7 , IPL60R185P7 , IPL60R225CFD7 , TK10A60D , IPLU300N04S4-1R1 , IPLU300N04S4-R8 , IPN50R1K4CE , IPN50R3K0CE , IPN50R650CE , IPN50R800CE , IPN60R1K0PFD7S , IPN60R1K5CE .

History: IPN50R3K0CE | IRFU7540PBF | IPN80R1K2P7 | AOD4120 | IPL60R255P6 | IXTP5N60P

 

 
Back to Top

 


 
.