IPLU300N04S4-1R1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPLU300N04S4-1R1
   Código: 4N041R1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 116 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2070 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00115 Ohm
   Paquete / Cubierta: H-PSOF-8-1

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPLU300N04S4-1R1

IPLU300N04S4-1R1 Datasheet (PDF)

0.1. Size:280K infineon
iplu300n04s4-1r1.pdf

IPLU300N04S4-1R1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.15mWID 300 AFeaturesH-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified8 MSL1 up to 260C peak reflow1Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant); 100% lead free18 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIP

1.1. Size:283K infineon
iplu300n04s4-r8.pdf

IPLU300N04S4-R8OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 0.77mWID 300 AFeaturesH-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified8 MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature Tab Green product (RoHS compliant); 100% lead free1 Ultra low Rds(on)8 100% Avalanche testedType Package MarkingIPLU

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Liste

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