Справочник MOSFET. IPLU300N04S4-1R1

 

IPLU300N04S4-1R1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPLU300N04S4-1R1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2070 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00115 Ohm
   Тип корпуса: H-PSOF-8-1
 

 Аналог (замена) для IPLU300N04S4-1R1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPLU300N04S4-1R1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:280K  infineon
 iplu300n04s4-1r1.pdf pdf_icon

IPLU300N04S4-1R1

IPLU300N04S4-1R1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.15mWID 300 AFeaturesH-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified8 MSL1 up to 260C peak reflow1Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant); 100% lead free18 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIP

 1.1. Size:283K  infineon
 iplu300n04s4-r8.pdf pdf_icon

IPLU300N04S4-1R1

IPLU300N04S4-R8OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 0.77mWID 300 AFeaturesH-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified8 MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature Tab Green product (RoHS compliant); 100% lead free1 Ultra low Rds(on)8 100% Avalanche testedType Package MarkingIPLU

Другие MOSFET... IPL60R085P7 , IPL60R095CFD7 , IPL60R125P7 , IPL60R160CFD7 , IPL60R185C7 , IPL60R185P7 , IPL60R225CFD7 , IPLU250N04S4-1R7 , RFP50N06 , IPLU300N04S4-R8 , IPN50R1K4CE , IPN50R3K0CE , IPN50R650CE , IPN50R800CE , IPN60R1K0PFD7S , IPN60R1K5CE , IPN60R2K0PFD7S .

History: ST13P10 | 2SK1760 | 2SK2056 | 23N50

 

 
Back to Top

 


 
.