IPLU300N04S4-R8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPLU300N04S4-R8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3790 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00077 Ohm
Paquete / Cubierta: H-PSOF-8-1
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 Datasheet (PDF)
iplu300n04s4-r8.pdf
IPLU300N04S4-R8OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 0.77mWID 300 AFeaturesH-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified8 MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature Tab Green product (RoHS compliant); 100% lead free1 Ultra low Rds(on)8 100% Avalanche testedType Package MarkingIPLU
iplu300n04s4-1r1.pdf
IPLU300N04S4-1R1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.15mWID 300 AFeaturesH-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified8 MSL1 up to 260C peak reflow1Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant); 100% lead free18 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIP
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Liste
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