IPLU300N04S4-R8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPLU300N04S4-R8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00077 Ohm

Тип корпуса: H-PSOF-8-1

Аналог (замена) для IPLU300N04S4-R8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPLU300N04S4-R8 даташит

 0.1. Size:283K  infineon
 iplu300n04s4-r8.pdf pdf_icon

IPLU300N04S4-R8

IPLU300N04S4-R8 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on) 0.77 mW ID 300 A Features H-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement mode Tab AEC qualified 8 MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature Tab Green product (RoHS compliant); 100% lead free 1 Ultra low Rds(on) 8 100% Avalanche tested Type Package Marking IPLU

 1.1. Size:280K  infineon
 iplu300n04s4-1r1.pdf pdf_icon

IPLU300N04S4-R8

IPLU300N04S4-1R1 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on) 1.15 mW ID 300 A Features H-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement mode Tab AEC qualified 8 MSL1 up to 260 C peak reflow 1 Tab 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant); 100% lead free 1 8 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IP

Другие IGBT... IPL60R095CFD7, IPL60R125P7, IPL60R160CFD7, IPL60R185C7, IPL60R185P7, IPL60R225CFD7, IPLU250N04S4-1R7, IPLU300N04S4-1R1, 12N60, IPN50R1K4CE, IPN50R3K0CE, IPN50R650CE, IPN50R800CE, IPN60R1K0PFD7S, IPN60R1K5CE, IPN60R2K0PFD7S, IPN60R360P7S