Справочник MOSFET. IPLU300N04S4-R8

 

IPLU300N04S4-R8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPLU300N04S4-R8
   Маркировка: 4N04R8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 221 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3790 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00077 Ohm
   Тип корпуса: H-PSOF-8-1

 Аналог (замена) для IPLU300N04S4-R8

 

 

IPLU300N04S4-R8 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:283K  infineon
 iplu300n04s4-r8.pdf

IPLU300N04S4-R8 IPLU300N04S4-R8

IPLU300N04S4-R8OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 0.77mWID 300 AFeaturesH-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified8 MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature Tab Green product (RoHS compliant); 100% lead free1 Ultra low Rds(on)8 100% Avalanche testedType Package MarkingIPLU

 1.1. Size:280K  infineon
 iplu300n04s4-1r1.pdf

IPLU300N04S4-R8 IPLU300N04S4-R8

IPLU300N04S4-1R1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.15mWID 300 AFeaturesH-PSOF-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified8 MSL1 up to 260C peak reflow1Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant); 100% lead free18 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIP

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top