IPN65R1K5CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPN65R1K5CE
Código: 65S1K5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 10.5 nC
Tiempo de subida (tr): 5.9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 15 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
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IPN65R1K5CE Datasheet (PDF)
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IPN65R1K5CEMOSFETPG-SOT223650V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting markets by still meeting high
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