IPN65R1K5CE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPN65R1K5CE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: SOT223
IPN65R1K5CE Datasheet (PDF)
ipn65r1k5ce.pdf

IPN65R1K5CEMOSFETPG-SOT223650V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting markets by still meeting high
Другие MOSFET... IPN60R1K0PFD7S , IPN60R1K5CE , IPN60R2K0PFD7S , IPN60R360P7S , IPN60R360PFD7S , IPN60R3K4CE , IPN60R600P7S , IPN60R600PFD7S , 18N50 , IPN70R1K0CE , IPN70R1K2P7S , IPN70R1K4P7S , IPN70R1K5CE , IPN70R2K0P7S , IPN70R2K1CE , IPN70R360P7S , IPN70R600P7S .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor