IPN65R1K5CE - описание и поиск аналогов

 

IPN65R1K5CE - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPN65R1K5CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для IPN65R1K5CE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPN65R1K5CE технические параметры

 ..1. Size:1057K  infineon
 ipn65r1k5ce.pdf pdf_icon

IPN65R1K5CE

IPN65R1K5CE MOSFET PG-SOT223 650V CoolMOS CE Power Transistor CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting high

Другие MOSFET... IPN60R1K0PFD7S , IPN60R1K5CE , IPN60R2K0PFD7S , IPN60R360P7S , IPN60R360PFD7S , IPN60R3K4CE , IPN60R600P7S , IPN60R600PFD7S , BS170 , IPN70R1K0CE , IPN70R1K2P7S , IPN70R1K4P7S , IPN70R1K5CE , IPN70R2K0P7S , IPN70R2K1CE , IPN70R360P7S , IPN70R600P7S .

 

 
Back to Top

 


 
.