IPN65R1K5CE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPN65R1K5CE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IPN65R1K5CE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPN65R1K5CE даташит

 ..1. Size:1057K  infineon
 ipn65r1k5ce.pdf pdf_icon

IPN65R1K5CE

IPN65R1K5CE MOSFET PG-SOT223 650V CoolMOS CE Power Transistor CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting high

Другие IGBT... IPN60R1K0PFD7S, IPN60R1K5CE, IPN60R2K0PFD7S, IPN60R360P7S, IPN60R360PFD7S, IPN60R3K4CE, IPN60R600P7S, IPN60R600PFD7S, CS150N04A8, IPN70R1K0CE, IPN70R1K2P7S, IPN70R1K4P7S, IPN70R1K5CE, IPN70R2K0P7S, IPN70R2K1CE, IPN70R360P7S, IPN70R600P7S