Справочник MOSFET. IPN65R1K5CE

 

IPN65R1K5CE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPN65R1K5CE
   Маркировка: 65S1K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 10.5 nC
   Время нарастания (tr): 5.9 ns
   Выходная емкость (Cd): 15 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для IPN65R1K5CE

 

 

IPN65R1K5CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1057K  infineon
 ipn65r1k5ce.pdf

IPN65R1K5CE IPN65R1K5CE

IPN65R1K5CEMOSFETPG-SOT223650V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting markets by still meeting high

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top