STD4N25-1 Todos los transistores

 

STD4N25-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD4N25-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: IPAK

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STD4N25-1 datasheet

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std4n25 std4n25-1 std4n25t4.pdf pdf_icon

STD4N25-1

STD4N25 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D STD4N25 250 V

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std4n25.pdf pdf_icon

STD4N25-1

STD4N25 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D STD4N25 250 V

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STD4N25-1

STD4N20 N-CHANNEL 200V - 1.2 - 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD4N20 200 V

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std4na40 std4na40-1 std4na40t4.pdf pdf_icon

STD4N25-1

STD4NA40 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD4NA40 400 V

Otros transistores... STD3N25T4 , STD3N30-1 , STD3N30L , STD3N30L-1 , STD3N30LT4 , STD3N30T4 , STD3NA50-1 , STD3NA50T4 , 50N06 , STD4N25T4 , STD4NA40-1 , STD4NA40T4 , STD5N20-1 , STD5N20T4 , STD6N10-1 , STD6N10T4 , STD8N06-1 .

 

 

 


 
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