IPN95R3K7P7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPN95R3K7P7  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 950 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.7 Ohm

Encapsulados: SOT223

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IPN95R3K7P7 datasheet

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IPN95R3K7P7

IPN95R3K7P7 MOSFET PG-SOT223 950V CoolMOS P7 SJ Power Device The latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C DS(o

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