IPN95R3K7P7 Todos los transistores

 

IPN95R3K7P7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPN95R3K7P7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPN95R3K7P7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1140K  infineon
 ipn95r3k7p7.pdf pdf_icon

IPN95R3K7P7

IPN95R3K7P7MOSFETPG-SOT223950V CoolMOS P7 SJ Power DeviceThe latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950Vsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CDS(o

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History: AP13N50W-HF | SIHF9540S | HITJ0203MP | SPP80P06PH | SRT10N230LM | IRFPC42R | RUH1H150R

 

 
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