Справочник MOSFET. IPN95R3K7P7

 

IPN95R3K7P7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPN95R3K7P7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для IPN95R3K7P7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPN95R3K7P7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1140K  infineon
 ipn95r3k7p7.pdf pdf_icon

IPN95R3K7P7

IPN95R3K7P7MOSFETPG-SOT223950V CoolMOS P7 SJ Power DeviceThe latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950Vsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CDS(o

Другие MOSFET... IPN70R900P7S , IPN80R1K2P7 , IPN80R1K4P7 , IPN80R2K4P7 , IPN80R4K5P7 , IPN80R600P7 , IPN80R750P7 , IPN80R900P7 , AO3401 , IPP015N04N6 , IPP100N12S3-05 , IPP120N08S4-03 , IPP120N08S4-04 , IPP120N10S4-03 , IPP120N10S4-05 , IPP120P04P4-04 , IPP120P04P4L-03 .

History: FDB3672F085 | IPP023N08N5 | IPN60R1K0PFD7S | AOD4136 | WMM26N60C4 | IRF8707PBF-1 | NDT25N06

 

 
Back to Top

 


 
.