IPN95R3K7P7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPN95R3K7P7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 950 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для IPN95R3K7P7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPN95R3K7P7 даташит

 ..1. Size:1140K  infineon
 ipn95r3k7p7.pdf pdf_icon

IPN95R3K7P7

IPN95R3K7P7 MOSFET PG-SOT223 950V CoolMOS P7 SJ Power Device The latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C DS(o

Другие IGBT... IPN70R900P7S, IPN80R1K2P7, IPN80R1K4P7, IPN80R2K4P7, IPN80R4K5P7, IPN80R600P7, IPN80R750P7, IPN80R900P7, P60NF06, IPP015N04N6, IPP100N12S3-05, IPP120N08S4-03, IPP120N08S4-04, IPP120N10S4-03, IPP120N10S4-05, IPP120P04P4-04, IPP120P04P4L-03