STD5N20T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD5N20T4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de STD5N20T4 MOSFET
STD5N20T4 Datasheet (PDF)
std5n20lt4.pdf
STD5N20LN-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD5N20L 200 V
std5n20l.pdf
STD5N20LN-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD5N20L 200 V
std5n20.pdf
STD5N20N-CHANNEL 200V - 0.6 - 5A DPAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5N20 200 V
Otros transistores... STD3N30T4 , STD3NA50-1 , STD3NA50T4 , STD4N25-1 , STD4N25T4 , STD4NA40-1 , STD4NA40T4 , STD5N20-1 , IRLZ44N , STD6N10-1 , STD6N10T4 , STD8N06-1 , STD8N06T4 , STD8N10 , STD8N10-1 , STD8N10L , STD8N10L-1 .
History: HGN035N08AL | H5N2508DL
History: HGN035N08AL | H5N2508DL
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM601LL | AGM6018A | AGM6014AP | AGM6014A | AGM55P10S | AGM55P10D | AGM55P10A | AGM55N15D | AGM55N15A | AGM502 | AGM500P20D | AGM435E | AGM425ME | AGM425MD | AGM425MC | AGM425MA
Popular searches
d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117