STD5N20T4 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STD5N20T4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD5N20T4
STD5N20T4 Datasheet (PDF)
std5n20lt4.pdf
STD5N20LN-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD5N20L 200 V
std5n20l.pdf
STD5N20LN-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD5N20L 200 V
std5n20.pdf
STD5N20N-CHANNEL 200V - 0.6 - 5A DPAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5N20 200 V
Другие MOSFET... STD3N30T4 , STD3NA50-1 , STD3NA50T4 , STD4N25-1 , STD4N25T4 , STD4NA40-1 , STD4NA40T4 , STD5N20-1 , IRLZ44N , STD6N10-1 , STD6N10T4 , STD8N06-1 , STD8N06T4 , STD8N10 , STD8N10-1 , STD8N10L , STD8N10L-1 .
History: GT12N06S
History: GT12N06S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM601LL | AGM6018A | AGM6014AP | AGM6014A | AGM55P10S | AGM55P10D | AGM55P10A | AGM55N15D | AGM55N15A | AGM502 | AGM500P20D | AGM435E | AGM425ME | AGM425MD | AGM425MC | AGM425MA
Popular searches
d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117





