STD5N20T4 datasheet, аналоги, параметры транзистора

STD5N20T4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STD5N20T4 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: DPAK

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для STD5N20T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:152K 1
std5n20 std5n20-1 std5n20t4.pdf pdf_icon

7.1. Size:268K st
std5n20lt4.pdf pdf_icon

STD5N20L N-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAK STripFET MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD5N20L 200 V

7.2. Size:283K st
std5n20l.pdf pdf_icon

STD5N20L N-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAK STripFET MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD5N20L 200 V

7.3. Size:254K st
std5n20.pdf pdf_icon

STD5N20 N-CHANNEL 200V - 0.6 - 5A DPAK MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD5N20 200 V