STD5N20T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STD5N20T4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD5N20T4
STD5N20T4 Datasheet (PDF)
7.1. Size:268K st
std5n20lt4.pdf
std5n20lt4.pdf
STD5N20LN-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD5N20L 200 V
7.2. Size:283K st
std5n20l.pdf
std5n20l.pdf
STD5N20LN-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD5N20L 200 V
7.3. Size:254K st
std5n20.pdf
std5n20.pdf
STD5N20N-CHANNEL 200V - 0.6 - 5A DPAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5N20 200 V
Другие MOSFET... STD3N30T4 , STD3NA50-1 , STD3NA50T4 , STD4N25-1 , STD4N25T4 , STD4NA40-1 , STD4NA40T4 , STD5N20-1 , IRFP260N , STD6N10-1 , STD6N10T4 , STD8N06-1 , STD8N06T4 , STD8N10 , STD8N10-1 , STD8N10L , STD8N10L-1 .
