IPT111N20NFD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPT111N20NFD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0111 Ohm

Encapsulados: HSOF-8

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IPT111N20NFD datasheet

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IPT111N20NFD

IPT111N20NFD MOSFET HSOF OptiMOS 3 Power-Transistor, 200 V Features Tab N-channel, normal level Fast Diode (FD) with reduced Q rr Optimized for hard commutation ruggedness 1 Very low on-resistance R 2 DS(on) 3 4 5 175 C operating temperature 6 7 8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application H

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