IPT111N20NFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPT111N20NFD
   Código: 111N20NF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 65 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0111 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOF-8

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IPT111N20NFD Datasheet (PDF)

..1. Size:1004K infineon
ipt111n20nfd.pdf

IPT111N20NFDMOSFETHSOFOptiMOS3 Power-Transistor, 200 VFeaturesTab N-channel, normal level Fast Diode (FD) with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness1 Very low on-resistance R 2DS(on)345 175 C operating temperature678 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application H

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: