IPT111N20NFD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPT111N20NFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0111 Ohm

Тип корпуса: HSOF-8

Аналог (замена) для IPT111N20NFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPT111N20NFD даташит

 ..1. Size:1004K  infineon
 ipt111n20nfd.pdf pdf_icon

IPT111N20NFD

IPT111N20NFD MOSFET HSOF OptiMOS 3 Power-Transistor, 200 V Features Tab N-channel, normal level Fast Diode (FD) with reduced Q rr Optimized for hard commutation ruggedness 1 Very low on-resistance R 2 DS(on) 3 4 5 175 C operating temperature 6 7 8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application H

Другие IGBT... IPSA70R600CE, IPSA70R600P7S, IPSA70R750P7S, IPSA70R900P7S, IPT012N06N, IPT019N08N5, IPT026N10N5, IPT029N08N5, IRLB4132, IPT210N25NFD, IPT60R022S7, IPT60R028G7, IPT60R040S7, IPT60R050G7, IPT60R065S7, IPT60R102G7, IPT60R150G7