Справочник MOSFET. IPT111N20NFD

 

IPT111N20NFD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPT111N20NFD
   Маркировка: 111N20NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0111 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-8

 Аналог (замена) для IPT111N20NFD

 

 

IPT111N20NFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1004K  infineon
 ipt111n20nfd.pdf

IPT111N20NFD IPT111N20NFD

IPT111N20NFDMOSFETHSOFOptiMOS3 Power-Transistor, 200 VFeaturesTab N-channel, normal level Fast Diode (FD) with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness1 Very low on-resistance R 2DS(on)345 175 C operating temperature678 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application H

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK3479-S | NCE011N30GU

 

 
Back to Top