IPT111N20NFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPT111N20NFD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0111 Ohm
Тип корпуса: HSOF-8
IPT111N20NFD Datasheet (PDF)
ipt111n20nfd.pdf

IPT111N20NFDMOSFETHSOFOptiMOS3 Power-Transistor, 200 VFeaturesTab N-channel, normal level Fast Diode (FD) with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness1 Very low on-resistance R 2DS(on)345 175 C operating temperature678 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application H
Другие MOSFET... IPSA70R600CE , IPSA70R600P7S , IPSA70R750P7S , IPSA70R900P7S , IPT012N06N , IPT019N08N5 , IPT026N10N5 , IPT029N08N5 , 5N60 , IPT210N25NFD , IPT60R022S7 , IPT60R028G7 , IPT60R040S7 , IPT60R050G7 , IPT60R065S7 , IPT60R102G7 , IPT60R150G7 .
History: RRR015P03 | SUD20N10-66L
History: RRR015P03 | SUD20N10-66L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243