Справочник MOSFET. IPT111N20NFD

 

IPT111N20NFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPT111N20NFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0111 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPT111N20NFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1004K  infineon
 ipt111n20nfd.pdf pdf_icon

IPT111N20NFD

IPT111N20NFDMOSFETHSOFOptiMOS3 Power-Transistor, 200 VFeaturesTab N-channel, normal level Fast Diode (FD) with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness1 Very low on-resistance R 2DS(on)345 175 C operating temperature678 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application H

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.