IPU95R450P7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPU95R450P7
Código: 95R450P7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 104 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 950 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 14 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 35 nC
Tiempo de subida (tr): 7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 16 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPU95R450P7
IPU95R450P7 Datasheet (PDF)
ipu95r450p7.pdf
IPU95R450P7MOSFETIPAK950V CoolMOS P7 SJ Power DeviceThe latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950Vtabsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CDS(o
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