IPU95R450P7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPU95R450P7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 950 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для IPU95R450P7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU95R450P7 даташит

 ..1. Size:1384K  infineon
 ipu95r450p7.pdf pdf_icon

IPU95R450P7

IPU95R450P7 MOSFET IPAK 950V CoolMOS P7 SJ Power Device The latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950V tab super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C DS(o

 8.1. Size:1366K  infineon
 ipu95r750p7.pdf pdf_icon

IPU95R450P7

IPU95R750P7 MOSFET IPAK 950V CoolMOS P7 SJ Power Device The latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950V tab super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C DS(o

Другие IGBT... IPT65R033G7, IPT65R105G7, IPT65R195G7, IPU80R1K4P7, IPU80R2K0P7, IPU80R2K4P7, IPU80R600P7, IPU80R750P7, NCEP15T14, IPU95R750P7, IPW60R024CFD7, IPW60R031CFD7, IPW60R037CSFD, IPW60R040CFD7, IPW60R045P7, IPW60R090CFD7, IPW60R105CFD7