IPU95R450P7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPU95R450P7
Маркировка: 95R450P7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 950 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 16 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IPU95R450P7
IPU95R450P7 Datasheet (PDF)
ipu95r450p7.pdf
IPU95R450P7MOSFETIPAK950V CoolMOS P7 SJ Power DeviceThe latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950Vtabsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CDS(o
ipu95r750p7.pdf
IPU95R750P7MOSFETIPAK950V CoolMOS P7 SJ Power DeviceThe latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950Vtabsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CDS(o
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SPE4N65G
