Справочник MOSFET. IPU95R450P7

 

IPU95R450P7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPU95R450P7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IPU95R450P7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU95R450P7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1384K  infineon
 ipu95r450p7.pdf pdf_icon

IPU95R450P7

IPU95R450P7MOSFETIPAK950V CoolMOS P7 SJ Power DeviceThe latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950Vtabsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CDS(o

 8.1. Size:1366K  infineon
 ipu95r750p7.pdf pdf_icon

IPU95R450P7

IPU95R750P7MOSFETIPAK950V CoolMOS P7 SJ Power DeviceThe latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950Vtabsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CDS(o

Другие MOSFET... IPT65R033G7 , IPT65R105G7 , IPT65R195G7 , IPU80R1K4P7 , IPU80R2K0P7 , IPU80R2K4P7 , IPU80R600P7 , IPU80R750P7 , IRFP450 , IPU95R750P7 , IPW60R024CFD7 , IPW60R031CFD7 , IPW60R037CSFD , IPW60R040CFD7 , IPW60R045P7 , IPW60R090CFD7 , IPW60R105CFD7 .

History: CS7N70F | NCE60H15AD

 

 
Back to Top

 


 
.