IQE006NE2LM5CG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IQE006NE2LM5CG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TTFN-9-1

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IQE006NE2LM5CG Datasheet (PDF)

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iqe006ne2lm5cg.pdf

IQE006NE2LM5CGMOSFETPG-TTFN-9-1OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V12Features34 Very low on-resistance RDS(on)9 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level Pb-free lead plating; RoHS compliant87 Halogen-free according to IEC61249-2-2165Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Appl

2.1. Size:1423K infineon
iqe006ne2lm5.pdf

IQE006NE2LM5MOSFETPG-TSON-8-4OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 VFeatures12 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS34 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel87 Pb-free lead plating; RoHS compliant65 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Applicat

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: