IQE006NE2LM5CG - описание и поиск аналогов

 

IQE006NE2LM5CG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IQE006NE2LM5CG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00065 Ohm

Тип корпуса: TTFN-9-1

Аналог (замена) для IQE006NE2LM5CG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IQE006NE2LM5CG даташит

 ..1. Size:1024K  infineon
 iqe006ne2lm5cg.pdf pdf_icon

IQE006NE2LM5CG

IQE006NE2LM5CG MOSFET PG-TTFN-9-1 OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V 1 2 Features 3 4 Very low on-resistance R DS(on) 9 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level Pb-free lead plating; RoHS compliant 8 7 Halogen-free according to IEC61249-2-21 6 5 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Appl

 2.1. Size:1423K  infineon
 iqe006ne2lm5.pdf pdf_icon

IQE006NE2LM5CG

IQE006NE2LM5 MOSFET PG-TSON-8-4 OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V Features 1 2 Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS 3 4 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel 8 7 Pb-free lead plating; RoHS compliant 6 5 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applicat

Другие MOSFET... IPZ60R070P6 , IPZA60R037P7 , IPZA60R045P7 , IPZA60R060P7 , IPZA60R080P7 , IPZA60R120P7 , IPZA60R180P7 , IQE006NE2LM5 , IRFB31N20D , IRF1310NLPBF , IRF135SA204 , IRF150P220 , IRF150P221 , IRF200S234 , IRF3007LPBF , IRF300P226 , IRF3415LPBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.