Справочник MOSFET. IQE006NE2LM5CG

 

IQE006NE2LM5CG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IQE006NE2LM5CG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00065 Ohm
   Тип корпуса: TTFN-9-1
 

 Аналог (замена) для IQE006NE2LM5CG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IQE006NE2LM5CG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1024K  infineon
 iqe006ne2lm5cg.pdf pdf_icon

IQE006NE2LM5CG

IQE006NE2LM5CGMOSFETPG-TTFN-9-1OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V12Features34 Very low on-resistance RDS(on)9 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level Pb-free lead plating; RoHS compliant87 Halogen-free according to IEC61249-2-2165Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Appl

 2.1. Size:1423K  infineon
 iqe006ne2lm5.pdf pdf_icon

IQE006NE2LM5CG

IQE006NE2LM5MOSFETPG-TSON-8-4OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 VFeatures12 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS34 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel87 Pb-free lead plating; RoHS compliant65 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Applicat

Другие MOSFET... IPZ60R070P6 , IPZA60R037P7 , IPZA60R045P7 , IPZA60R060P7 , IPZA60R080P7 , IPZA60R120P7 , IPZA60R180P7 , IQE006NE2LM5 , IRF730 , IRF1310NLPBF , IRF135SA204 , IRF150P220 , IRF150P221 , IRF200S234 , IRF3007LPBF , IRF300P226 , IRF3415LPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.