IRF135SA204 Todos los transistores

 

IRF135SA204 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF135SA204
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 135 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 210 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK-7
 

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IRF135SA204 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:515K  infineon
 irf135sa204.pdf pdf_icon

IRF135SA204

StrongIRFET IRF135SA204 Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications D VDSS 135V Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 4.7m Synchronous rectifier applications G max 5.9m Resonant mode power supplies S OR-ing and redunda

 7.1. Size:546K  international rectifier
 irf135s203 irf135b203.pdf pdf_icon

IRF135SA204

StrongIRFET IRF135B203 IRF135S203 Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications D VDSS 135V Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 6.7m Synchronous rectifier applications G max 8.4m Resonant mode power supplies S OR-ing

 7.2. Size:258K  inchange semiconductor
 irf135s203.pdf pdf_icon

IRF135SA204

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF135S203FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 8.1. Size:245K  inchange semiconductor
 irf135b203.pdf pdf_icon

IRF135SA204

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF135B203IIRF135B203FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.4mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

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History: VMM1500-0075X2 | FQD19N10

 

 
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