IRF135SA204 - описание и поиск аналогов

 

IRF135SA204. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF135SA204

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 135 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: D2PAK-7

Аналог (замена) для IRF135SA204

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF135SA204 даташит

 ..1. Size:515K  infineon
irf135sa204.pdfpdf_icon

IRF135SA204

StrongIRFET IRF135SA204 Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications D VDSS 135V Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 4.7m Synchronous rectifier applications G max 5.9m Resonant mode power supplies S OR-ing and redunda

 7.1. Size:546K  international rectifier
irf135s203 irf135b203.pdfpdf_icon

IRF135SA204

StrongIRFET IRF135B203 IRF135S203 Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications D VDSS 135V Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 6.7m Synchronous rectifier applications G max 8.4m Resonant mode power supplies S OR-ing

 7.2. Size:258K  inchange semiconductor
irf135s203.pdfpdf_icon

IRF135SA204

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF135S203 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 8.1. Size:245K  inchange semiconductor
irf135b203.pdfpdf_icon

IRF135SA204

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF135B203 IIRF135B203 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 8.4m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

Другие MOSFET... IPZA60R045P7 , IPZA60R060P7 , IPZA60R080P7 , IPZA60R120P7 , IPZA60R180P7 , IQE006NE2LM5 , IQE006NE2LM5CG , IRF1310NLPBF , IRF1405 , IRF150P220 , IRF150P221 , IRF200S234 , IRF3007LPBF , IRF300P226 , IRF3415LPBF , IRF3708LPBF , IRF40H233 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.