Справочник MOSFET. IRF135SA204

 

IRF135SA204 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF135SA204
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 135 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-7
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF135SA204 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:515K  infineon
irf135sa204.pdfpdf_icon

IRF135SA204

StrongIRFET IRF135SA204 Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications D VDSS 135V Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 4.7m Synchronous rectifier applications G max 5.9m Resonant mode power supplies S OR-ing and redunda

 7.1. Size:546K  international rectifier
irf135s203 irf135b203.pdfpdf_icon

IRF135SA204

StrongIRFET IRF135B203 IRF135S203 Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications D VDSS 135V Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 6.7m Synchronous rectifier applications G max 8.4m Resonant mode power supplies S OR-ing

 7.2. Size:258K  inchange semiconductor
irf135s203.pdfpdf_icon

IRF135SA204

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF135S203FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 8.1. Size:245K  inchange semiconductor
irf135b203.pdfpdf_icon

IRF135SA204

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF135B203IIRF135B203FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.4mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WSF09N20 | FL6L5201 | FDG361N | AUIRF1018E | CHM4955JGP | RQ6E035AT | FDD6680

 

 
Back to Top

 


 
.