IRF40H233 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF40H233
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8-4

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF40H233

IRF40H233 Datasheet (PDF)

..1. Size:1158K infineon
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IRF40H233MOSFETSSO8 dual (TDSON-8-4)StrongIRFET1Benefits82736 Optimized for broadest availability from distribution partners 45 175C junction temperature rated 100% UIL tested Product validation according to JEDEC standard Pb-Free ; RoHS Compliant ; Halogen-Free81726354Potential applications Brushed Motor drive applicatio

7.1. Size:565K 1
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StrongIRFET IRF40H210 HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 1.4m Battery powered circuits max 1.7m Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 201A Resonant mode power supplies

7.2. Size:562K international rectifier
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