IRF40H233 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IRF40H233 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IRF40H233
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8-4

Аналог (замена) для IRF40H233

IRF40H233 Datasheet (PDF)

..1. Size:1158K infineon
irf40h233.pdf

IRF40H233MOSFETSSO8 dual (TDSON-8-4)StrongIRFET1Benefits82736 Optimized for broadest availability from distribution partners 45 175C junction temperature rated 100% UIL tested Product validation according to JEDEC standard Pb-Free ; RoHS Compliant ; Halogen-Free81726354Potential applications Brushed Motor drive applicatio

7.1. Size:565K 1
irf40h210.pdf

StrongIRFET IRF40H210 HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 1.4m Battery powered circuits max 1.7m Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 201A Resonant mode power supplies

7.2. Size:562K international rectifier
irf40h210.pdf