G1L9N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G1L9N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 31.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 53.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 161.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G1L9N06

G1L9N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:223K liteon
g1l9n06.pdf

G1L9N06 N-Channel 60 Enhancement Mode V VBVDSS=60 General Description RDS(ON)9.0m@V =10V GSThe G1L9N06 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors. These are particularly suited RDS(ON)13.3m@V =4.5V GSfor low voltage application such as notebook computer power management and other battery powered circuits I =28A Dhere high-s

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: