G1L9N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G1L9N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 53.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 161.9 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: DFN3X3
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G1L9N06 datasheet
g1l9n06.pdf
G1L9N06 N-Channel 60 Enhancement Mode V V BVDSS=60 General Description RDS(ON) 9.0m @V =10V GS The G1L9N06 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors. These are particularly suited RDS(ON) 13.3m @V =4.5V GS for low voltage application such as notebook computer power management and other battery powered circuits I =28A D here high-s
Otros transistores... IRF7101PBF , IRF7103PBF , IRF7104PBF , IRF7105PBF , IRF7301PBF , JMTL2302A , JMTL3401A , JMTL3415K , P55NF06 , JST100N30T2 , JST150N30T2 , JST180N30D5 , JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 .
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