G1L9N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G1L9N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 18 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 28 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 31.1 nC
Tiempo de subida (tr): 53.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 161.9 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3
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G1L9N06 Datasheet (PDF)
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G1L9N06 N-Channel 60 Enhancement Mode V VBVDSS=60 General Description RDS(ON)9.0m@V =10V GSThe G1L9N06 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors. These are particularly suited RDS(ON)13.3m@V =4.5V GSfor low voltage application such as notebook computer power management and other battery powered circuits I =28A Dhere high-s
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
