Справочник MOSFET. G1L9N06

 

G1L9N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G1L9N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 161.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для G1L9N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G1L9N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  liteon
 g1l9n06.pdf pdf_icon

G1L9N06

G1L9N06 N-Channel 60 Enhancement Mode V VBVDSS=60 General Description RDS(ON)9.0m@V =10V GSThe G1L9N06 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors. These are particularly suited RDS(ON)13.3m@V =4.5V GSfor low voltage application such as notebook computer power management and other battery powered circuits I =28A Dhere high-s

Другие MOSFET... IRF7101PBF , IRF7103PBF , IRF7104PBF , IRF7105PBF , IRF7301PBF , JMTL2302A , JMTL3401A , JMTL3415K , IRFB4115 , JST100N30T2 , JST150N30T2 , JST180N30D5 , JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 .

History: SIHF610 | RJK5014DPP-E0 | SSD04N65 | GMM3x180-004X2-SMD | SVF4N60CAT | 2SJ463 | IPP048N04N

 

 
Back to Top

 


 
.