G1L9N06 - описание и поиск аналогов

 

G1L9N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G1L9N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 161.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для G1L9N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G1L9N06 даташит

 ..1. Size:223K  liteon
 g1l9n06.pdf pdf_icon

G1L9N06

G1L9N06 N-Channel 60 Enhancement Mode V V BVDSS=60 General Description RDS(ON) 9.0m @V =10V GS The G1L9N06 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors. These are particularly suited RDS(ON) 13.3m @V =4.5V GS for low voltage application such as notebook computer power management and other battery powered circuits I =28A D here high-s

Другие MOSFET... IRF7101PBF , IRF7103PBF , IRF7104PBF , IRF7105PBF , IRF7301PBF , JMTL2302A , JMTL3401A , JMTL3415K , P55NF06 , JST100N30T2 , JST150N30T2 , JST180N30D5 , JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 .

History: JST2300 | STU420S | JST180N30D5 | FCPF7N60

 

 

 


 
↑ Back to Top
.