JST100N30T2 Todos los transistores

 

JST100N30T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JST100N30T2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JST100N30T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1070K  jestek
 jst100n30t2.pdf pdf_icon

JST100N30T2

JST100N30T2 30V,100A N-channel MOSFETFeatures Application 30V,100A Load Switch R =3.1m (Typ.) @ V =10V PWM ApplicationDS(ON) GS R =4.5m (Typ.) @ V =4.5VDS(ON) GS Advanced Trench Technology Provide Excellent R and Low Gate ChargeDS(ON)Package JST100N30T2 Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified)CSymbol Parameter

Otros transistores... IRF7103PBF , IRF7104PBF , IRF7105PBF , IRF7301PBF , JMTL2302A , JMTL3401A , JMTL3415K , G1L9N06 , 2SK3878 , JST150N30T2 , JST180N30D5 , JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C .

History: NTHL082N65S3F | FDBL86210-F085 | KIA3510A-263

 

 
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