JST100N30T2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JST100N30T2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Encapsulados: TO252
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JST100N30T2 datasheet
jst100n30t2.pdf
JST100N30T2 30V,100A N-channel MOSFET Features Application 30V,100A Load Switch R =3.1m (Typ.) @ V =10V PWM Application DS(ON) GS R =4.5m (Typ.) @ V =4.5V DS(ON) GS Advanced Trench Technology Provide Excellent R and Low Gate Charge DS(ON) Package JST100N30T2 Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified) C Symbol Parameter
Otros transistores... IRF7103PBF , IRF7104PBF , IRF7105PBF , IRF7301PBF , JMTL2302A , JMTL3401A , JMTL3415K , G1L9N06 , 8205A , JST150N30T2 , JST180N30D5 , JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C .
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