Справочник MOSFET. JST100N30T2

 

JST100N30T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JST100N30T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JST100N30T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JST100N30T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1070K  jestek
 jst100n30t2.pdf pdf_icon

JST100N30T2

JST100N30T2 30V,100A N-channel MOSFETFeatures Application 30V,100A Load Switch R =3.1m (Typ.) @ V =10V PWM ApplicationDS(ON) GS R =4.5m (Typ.) @ V =4.5VDS(ON) GS Advanced Trench Technology Provide Excellent R and Low Gate ChargeDS(ON)Package JST100N30T2 Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified)CSymbol Parameter

Другие MOSFET... IRF7103PBF , IRF7104PBF , IRF7105PBF , IRF7301PBF , JMTL2302A , JMTL3401A , JMTL3415K , G1L9N06 , 2SK3878 , JST150N30T2 , JST180N30D5 , JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C .

 

 
Back to Top

 


 
.