Справочник MOSFET. JST100N30T2

 

JST100N30T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JST100N30T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

JST100N30T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1070K  jestek
 jst100n30t2.pdf pdf_icon

JST100N30T2

JST100N30T2 30V,100A N-channel MOSFETFeatures Application 30V,100A Load Switch R =3.1m (Typ.) @ V =10V PWM ApplicationDS(ON) GS R =4.5m (Typ.) @ V =4.5VDS(ON) GS Advanced Trench Technology Provide Excellent R and Low Gate ChargeDS(ON)Package JST100N30T2 Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified)CSymbol Parameter

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRFBG30 | BF964S | SIA915DJ | BSC032N03SG | MDD5N40RH | MDD4N25RH | IRFP9231

 

 
Back to Top

 


 
.