JST100N30T2 - описание и поиск аналогов

 

JST100N30T2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JST100N30T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для JST100N30T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JST100N30T2 даташит

 ..1. Size:1070K  jestek
 jst100n30t2.pdf pdf_icon

JST100N30T2

JST100N30T2 30V,100A N-channel MOSFET Features Application 30V,100A Load Switch R =3.1m (Typ.) @ V =10V PWM Application DS(ON) GS R =4.5m (Typ.) @ V =4.5V DS(ON) GS Advanced Trench Technology Provide Excellent R and Low Gate Charge DS(ON) Package JST100N30T2 Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified) C Symbol Parameter

Другие MOSFET... IRF7103PBF , IRF7104PBF , IRF7105PBF , IRF7301PBF , JMTL2302A , JMTL3401A , JMTL3415K , G1L9N06 , 8205A , JST150N30T2 , JST180N30D5 , JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C .

History: FCPF22N60NT | JST2300 | STU420S | FCPF7N60 | FCP9N60N | JST180N30D5

 

 

 


 
↑ Back to Top
.